Die Basiswerkstoffe für Bauteile der Mikrosystemtechnik, Mikromaschinen usw. haben besondere Eigenschaf¬ten wie z. B. die üblichen Abmessungen von einigen wenigen Mikrometern, der Werkstoffherstellung durch Dampfabscheidung und der Herstellung von Mikroproben mittels nicht-mechanischer Verarbeitungsverfahren einschließlich der Fotolithografie.
Um die Bondfestigkeit zu prüfen gibt es unterschiedliche Möglichkeiten wie Sichtprüfung, Zug-Prüfverfahren, DCB-Prüfverfahren (DCB; en: double cantilever beam), elektrostatisches Prüfverfahren, Blister-Prüfverfahren (Druck-Prüfverfahren), 3-Punkt-Biege-Prüfverfahren und (Span-)Abscherfestigkeits-Prüfverfahren. Diese verschiedenen Möglichkeiten werden in der vorliegenden Norm für die Anwendung bei mikromechanischen Bauelementen beschrieben.
Somit kann die Bondfestigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen, Bondprozesstypen wie Silizium-Fusions-Bonden (Fusionsbonden), anodisches Silizium-Glas-Bonden (anodisches Bonden) usw. einheitlich geprüft werden. Anwendbare Strukturgrößen während des MEMS-Fertigungsprozesses bzw. der Assemblierung sind für die Verfahren festgelegt. Die anwendbare Waferdicke liegt im Bereich von 10 µm bis einigen Millimetern.
Zuständig ist das K 631 „Halbleiterbauelemente“ der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
