DIN EN 62047-9:2012-03

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Halbleiterbauelemente -

Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 9: Prüfverfahren zur Festigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen in der Mikrosystemtechnik (MEMS) (IEC 62047-9:2011); Deutsche Fassung EN 62047-9:2011

Kurzdarstellung

Die Basiswerkstoffe für Bauteile der Mikrosystemtechnik, Mikromaschinen usw. haben besondere Eigenschaf¬ten wie z. B. die üblichen Abmessungen von einigen wenigen Mikrometern, der Werkstoffherstellung durch Dampfabscheidung und der Herstellung von Mikroproben mittels nicht-mechanischer Verarbeitungsverfahren einschließlich der Fotolithografie.
Um die Bondfestigkeit zu prüfen gibt es unterschiedliche Möglichkeiten wie Sichtprüfung, Zug-Prüfverfahren, DCB-Prüfverfahren (DCB; en: double cantilever beam), elektrostatisches Prüfverfahren, Blister-Prüfverfahren (Druck-Prüfverfahren), 3-Punkt-Biege-Prüfverfahren und (Span-)Abscherfestigkeits-Prüfverfahren. Diese verschiedenen Möglichkeiten werden in der vorliegenden Norm für die Anwendung bei mikromechanischen Bauelementen beschrieben.
Somit kann die Bondfestigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen, Bondprozesstypen wie Silizium-Fusions-Bonden (Fusionsbonden), anodisches Silizium-Glas-Bonden (anodisches Bonden) usw. einheitlich geprüft werden. Anwendbare Strukturgrößen während des MEMS-Fertigungsprozesses bzw. der Assemblierung sind für die Verfahren festgelegt. Die anwendbare Waferdicke liegt im Bereich von 10 µm bis einigen Millimetern.
Zuständig ist das K 631 „Halbleiterbauelemente“ der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

Beziehungen

Enthält:

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19.08.2011 Aktuell
EN 62047-9:2011-08
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 9: Prüfverfahren zur Festigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen in der Mikrosystemtechnik (MEMS)
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13.07.2011 Aktuell
IEC 62047-9:2011-07
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 9: Prüfverfahren zur Festigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen in der Mikrosystemtechnik (MEMS)

Entwurf war:

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01.03.2008 Historisch
E DIN IEC 62047-9:2008-03
Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 9: Prüfverfahren zur Festigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen in der Mikrosystemtechnik (MEMS) (IEC 47/1947/CD:2007)

Dieses Dokument entspricht:

Dokumentart
Norm
Status
Aktuell
Erscheinungsdatum
01.03.2012
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium

Kontakt

Referat
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Merianstr. 28
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Referatsassistenz
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