DIN EN 62416:2010-12
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Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren
Kurzdarstellung
In diesem Dokument ist ein Prüfverfahren auf "heiße" Ladungsträger (Hot-Carrier) auf Waferniveau für NMOS- und PMOS-Transistoren festgelegt. Das Prüfverfahren wurde erarbeitet, um zu ermitteln, inwiefern die Einzeltransistoren eines bestimmten (C)MOS-Prozesses der geforderten Hot-Carrier-Lebensdauer entsprechen.
Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
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