VDE-AR-E 2126-4-100 (VDE -AR-E 2126-4-100):2021-11
Simon Kraus / Fotolia
Anforderungen an die Durchführung und Bewertung einer Prüfung für Licht-
und Temperatur-induzierte Degradation (LETID) von Photovoltaik-Zellen und -Modulen
Kurzdarstellung
Diese VDE-Anwendungsregel beschreibt ein Prüfverfahren für Licht- und Temperatur-induzierte Degradation (LETID, en: Light and Elevated Temperature Induced Degradation) von Silizium-basierten Solarzellen und -modulen.
Die Methode ist für alle Silizium (Si)-basierten –Solarzellen und -modulen anwendbar, unabhängig davon, ob das Grundmaterial multikristallines (mc), Czochralski (Cz) oder Float Zone (FZ) Silizium ist. Besonders relevant ist dieser Test für „Passivated Emitter and Rear Contact“ (PERC) Solarzellen und -module, da diese stärker von LETID betroffen sind als Zellen mit einem Standardaufbau.
Die VDE-Anwendungsregel beschreibt die Anforderungen an den Versuchsaufbau, die Prüfbedingungen und macht Vorgaben zur Auswertung, Bewertung und Dokumentation der Prüfergebnisse.
Durch eine Vorbehandlung und Dunkellagerung der Prüflinge stellt das Verfahren sicher, dass andere Arten der Licht-induzierte Degradation (LID) von LETID separierbar sind.
Zusätzlich enthält die Anwendungsregel im informativen Anhang eine Beschreibung eines Defektmodells für die möglichen Ursachen für LETID.
Die beschriebene Testmethode eignet sich zur frühzeitigen Erkennung der LETID-Anfälligkeit von Solarzellen und -modulen. Die kann zur Prozessüberwachung, für allgemeine Prozessverbesserungen sowie zur Qualitätskontrolle eingesetzt werden.
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This VDE application guide describes a test method for assessing Light and Elevated Temperature Induced Degradation (LETID) in silicon-based PV modules and cells.
The method is applicable to all silicon (Si)-based PV modules and cells, regardless of whether the bulk material is multicrystalline (mc), Czochralski (Cz) or Float Zone (FZ) silicon. It is particularly relevant for Passivated Emitter and Rear Contact (PERC) cells and modules as they exhibit an increased LeTID sensitivity.
The VDE application guide specifies the requirements for the test setup and the test conditions for the LETID test. Furthermore, it provides guidelines for the analysis, evaluation and documentations of the test results.
The method includes a pre-treatment and dark storage of the solar cells and modules to separate the effects of other types of Light-induced Degradation (LID) from LETID.
The informative annex contains the description of a defect model for the potential root cause of LETID.
The specified test methods can be used to detect LETID sensitivity in solar cells and modules early in the production process. The method can be applied in-process monitoring, for process improvement as well as for quality control.
Die Methode ist für alle Silizium (Si)-basierten –Solarzellen und -modulen anwendbar, unabhängig davon, ob das Grundmaterial multikristallines (mc), Czochralski (Cz) oder Float Zone (FZ) Silizium ist. Besonders relevant ist dieser Test für „Passivated Emitter and Rear Contact“ (PERC) Solarzellen und -module, da diese stärker von LETID betroffen sind als Zellen mit einem Standardaufbau.
Die VDE-Anwendungsregel beschreibt die Anforderungen an den Versuchsaufbau, die Prüfbedingungen und macht Vorgaben zur Auswertung, Bewertung und Dokumentation der Prüfergebnisse.
Durch eine Vorbehandlung und Dunkellagerung der Prüflinge stellt das Verfahren sicher, dass andere Arten der Licht-induzierte Degradation (LID) von LETID separierbar sind.
Zusätzlich enthält die Anwendungsregel im informativen Anhang eine Beschreibung eines Defektmodells für die möglichen Ursachen für LETID.
Die beschriebene Testmethode eignet sich zur frühzeitigen Erkennung der LETID-Anfälligkeit von Solarzellen und -modulen. Die kann zur Prozessüberwachung, für allgemeine Prozessverbesserungen sowie zur Qualitätskontrolle eingesetzt werden.
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This VDE application guide describes a test method for assessing Light and Elevated Temperature Induced Degradation (LETID) in silicon-based PV modules and cells.
The method is applicable to all silicon (Si)-based PV modules and cells, regardless of whether the bulk material is multicrystalline (mc), Czochralski (Cz) or Float Zone (FZ) silicon. It is particularly relevant for Passivated Emitter and Rear Contact (PERC) cells and modules as they exhibit an increased LeTID sensitivity.
The VDE application guide specifies the requirements for the test setup and the test conditions for the LETID test. Furthermore, it provides guidelines for the analysis, evaluation and documentations of the test results.
The method includes a pre-treatment and dark storage of the solar cells and modules to separate the effects of other types of Light-induced Degradation (LID) from LETID.
The informative annex contains the description of a defect model for the potential root cause of LETID.
The specified test methods can be used to detect LETID sensitivity in solar cells and modules early in the production process. The method can be applied in-process monitoring, for process improvement as well as for quality control.
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