DIN EN IEC 60749-26 (VDE 0884-749-26):2018-10

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Halbleiterbauelemente -

Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) (IEC 60749-26:2018); Deutsche Fassung EN IEC 60749-26:2018

Kurzdarstellung

Elektrostatische Entladungen sind bei der Handhabung und Verarbeitung elektronischer Bauelemente und Mikroschaltungen ein wesentlicher Faktor für die uneingeschränkte Funktionsfähigkeit der elektronischen Schaltungen in der Anwendung. Zur Bewertung der Störanfälligkeit (Empfindlichkeit) gegen Beschädigung von Bauelementen und Mikroschaltungen werden daher Prüfungen nach unterschiedlichen Modellen bereitgestellt, mit denen Ausfälle auf Grund elektrostatischer Entladungen reproduziert werden können und somit ungeachtet des Bauelementetyps zuverlässige und wiederholbare ESD-Prüfergebnisse von Prüfeinrichtung zu Prüfeinrichtung liefern
In der Norm wird das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung nach ihrer Funktionsbeeinträchtigung festgelegt, wenn diese Bauelemente mit den im Human-Body-Modell (HBM) festgelegten elektrostatischen Entladungen (ESD) beansprucht werden.
Das HBM- und das MM-Prüfverfahren nach DIN EN 60749-27 führen zu ähnlichen, aber nicht identischen Prüfergebnissen; sofern nicht anders festgelegt, ist das HBM-Prüfverfahren anzuwenden.
Dieser Neuausgabe ersetzt DIN EN 60749-26 (VDE 0884-749-26):2014-09 und enthält die folgenden wichtigen fachlichen Änderungen:
a) ein neuer Abschnitt zur HBM-Beanspruchung mit einem Simulator mit geringen parasitären Elementen wurde hinzugefügt, zusammen mit einer Prüfung zur Bestimmung, ob es sich um einen Simulator mit geringen parasitären Elementen handelt;
b) ein neuer Abschnitt zu geklonten Nichtversorgungsanschlüssen und ein neuer Anhang über die Prüfung von geklonten Nichtversorgungsanschlüssen wurden hinzugefügt.
Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.

Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN 60749-26 (VDE 0884-749-26):2014-09 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a) Neue Festlegungen zur HBM-Beanspruchung mit einem Simulator mit geringen parasitären Elementen wurden hinzugefügt;
b) eine Prüfung zur Bestimmung, ob es sich um einen Simulator mit geringen parasitären Elementen handelt wurde ergänzt;
c) Festlegungen zu geklonten Nichtversorgungsanschlüssen wurden ergänzt;
d) ein Anhang über die Prüfung von geklonten Nichtversorgungsanschlüssen wurde hinzugefügt;
e) die Norm wurde vollständige redaktionell überarbeitet.

Beziehungen

Ersatz für:

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01.09.2014 Historisch
DIN EN 60749-26 (VDE 0884-749-26):2014-09
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) (IEC 60749-26:2013); Deutsche Fassung EN 60749-26:2014

Enthält:

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23.03.2018 Aktuell
EN IEC 60749-26:2018-03
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM)

Dieses Dokument entspricht:

Dokumentart
Norm
Status
Aktuell
Erscheinungsdatum
01.10.2018
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium
Kontakt
Referat
Stipe Mandic
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

9_z6v.3r4uztQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-573

Referatsassistenz
Betina Vlonga
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

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