E DIN EN 60749-6:2016-09

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Halbleiterbauelemente -

Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 6: Lagerung bei hoher Temperatur (IEC 47/2297/CDV:2016); Deutsche Fassung prEN 60749-6:2016

Kurzdarstellung

Mit diesem Prüfverfahren wird die Wirkung erhöhter Temperatur auf alle elektronischen Halbleiterbauelemente bei ihrer Lagerung ohne elektrische Beanspruchung ermittelt. Dieses Prüfverfahren wird üblicherweise verwendet, um die Wirkungen von Zeit und Temperatur bei Lagerungsbedingungen auf thermisch aktivierte Ausfallmethoden und die Dauer bis zum Ausfall von elektronischen Halbleiterbauelementen, einschließlich nicht flüchtiger Speicher-Bauelemente (Ausfallmechanismen bezüglich des Datenerhalts) zu bestimmen.
Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.

Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN 60749-6:2003-04 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a) zusätzliche Prüfbedingungen;
b) Klarstellung der Anwendbarkeit von Prüfbedingungen.

Beziehungen

Ersatz für:

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01.04.2003 Historisch

DIN EN 60749-6:2003-04

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 6: Lagerung bei hoher Temperatur; (IEC 60749-6:2002); Deutsche Fassung EN 60749-6:2002