E DIN EN 62047-21:2012-11

Halbleiterbauelemente -

Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 21: Prüfverfahren zur Querkontraktionszahl von Dünnschichtwerkstoffen der Mikrosystemtechnik (IEC 47F/127/CD:2012)

Die Hauptbestandteile von MEMS-Bauteilen (MEMS; en: micro-electromechanical system), Mikromaschinen usw. haben bestimmte Eigenschaften wie Abmessungen im Mikrometerbereich, Herstellungsverfahren des Werkstoffs mittels Dampfabscheidung und die Mikroproben werden mithilfe nichtmechanischer Verfahren, einschließlich der Fotolithografie, hergestellt. Dünnschicht-Werkstoffe werden als Hauptbestandteil von MEMS-Bauteilen und Mikromaschinen verwendet. Ein wesentlicher charakteristischer Kennwert für derartige Werkstoffe ist die Querkontraktionszahl (Poissonzahl), die bei diversen Prüfungen zu ermitteln ist.
In diesem Teil der IEC 62047 ist ein Verfahren zur Bestimmung der Querkontraktionszahl (Poissonzahl) festgelegt, und zwar auf Basis einachsiger (uniaxialer) und zweiachsiger (biaxialer) Beanspruchungen von Werkstoffen für MEMS-Dünnschichten mit Längen und Breiten kleiner als 10 mm und Dicken kleiner als 10 μm.
Das internationale Dokument IEC 47F/127/CD:2012 „Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 21: Test method for Poisson's ratio of thin film MEMS materials“ (CD, en: Committee Draft) ist unverändert in diesen Norm-Entwurf übernommen worden. Dieser Norm-Entwurf enthält eine noch nicht autorisierte deutsche Übersetzung. Das internationale Dokument wurde vom SC 47F „Micro-electromechanical systems“ der Internationalen Elektrotechnischen Kommission (IEC) erarbeitet und den nationalen Komitees zur Stellungnahme vorgelegt.
Zuständig ist das DKE/K 631 „Halbleiterbauelemente“ der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.