Die Hauptbestandteile von MEMS-Bauteilen haben bestimmte Eigenschaften wie Abmessungen im Mikrometerbereich und werden in einigen Fällen mithilfe Herstellungsverfahren des Werkstoffs mittels Dampfabscheidung hergestellt. Dünnschicht-Werkstoffe werden als Hauptbestandteil von MEMS-Bauteilen und Mikromaschinen verwendet.
In diesem Teil der IEC 62047 sind die Messverfahren festgelegt, um die Eigenspannungen dünner Schichten (Schichtspannungen) von MEMS-Bauteilen mithilfe des Substratkrümmungs- (Waferkrümmungs-) oder des Biegebalken- (Cantilever-) Verfahrens zu ermitteln. Die Dünnschichten sollten auf einem Substrat abgeschieden sein, von dem die mechanischen Eigenschaften Elastizitätsmodul (Young-Modul) und Querkontraktionszahl (Poissonzahl) bekannt sind.
Das internationale Dokument IEC 47F/125/CD:2012 „Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods“ (CD, en: Committee Draft) ist unverändert in diesen Norm-Entwurf übernommen worden. Dieser Norm-Entwurf enthält eine noch nicht autorisierte deutsche Übersetzung. Das internationale Dokument wurde vom SC 47F „Micro-electromechanical systems“ der Internationalen Elektrotechnischen Kommission (IEC) erarbeitet und den nationalen Komitees zur Stellungnahme vorgelegt.
Zuständig ist das DKE/K 631 „Halbleiterbauelemente“ der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
