E DIN IEC 62047-13:2010-05

Halbleiterbauelemente -

Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 13: Biege- und Scherprüfverfahren zur Messung der Haftfestigkeit mikromechanischer Strukturen (IEC 47F/44/CD:2010)

Strukturelemente im Mikrometerbereich von Mikrosystembauteilen (MEMS) werden auf einer laminierten feinstrukturierten Schicht aufgebaut, welche fotolithografisch mittels Dampfphasenabscheidung, galvanischer Plattierung und/oder Beschichtung hergestellt wurden. MEMS-Bauteile haben eine große Anzahl von Grenzschichten (Interfaces) zwischen unterschiedlichen Werkstoffen, an denen während der Herstellung oder im Betrieb gelegentlich Delaminationen auftreten. Die Werkstoffkombinationen an den Grenzschichten bestimmen die Haftfestigkeit; wobei in der Nachbarschaft der Grenzschicht Defekte und Restspannungen, die von den Prozessbedingungen abhängig sind, starke Auswirkungen auf die Haftfestigkeit haben.
In dem Dokument wird das Prüfverfahren zur Haftfestigkeit zwischen Strukturelementen im Mikrometerbereich und einem Substrat unter Verwendung einer Zylinderform der Mikroproben festgelegt. Dieses Dokument kann zur Messung der Haftfestigkeit von Mikrostrukturen angewendet werden, die auf einem Substrat präpariert wurden, deren Breiten und Dicken zwischen 1 µm und 1 mm liegen. Es dient somit der Auswahl optimaler Werkstoffe und Prozessbedingungen für MEMS-Bauteile.
Das internationale Dokument IEC 47F/44/CD:2010 "Semiconductor devices - Micro electro mechanical devices - Part 13: Bend- and shear- test methods of measuring adhesive strength for MEMS structures" (CD, en: Committee Draft) ist unverändert in diesen Norm-Entwurf übernommen worden. Dieser Norm-Entwurf enthält eine noch nicht autorisierte deutsche Übersetzung. Um Zweifelsfälle in der Übersetzung auszuschließen, ist die englische Originalfassung des CD beigefügt.
Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.