DIN EN 62374-1:2011-06

Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen

Die Zuverlässigkeit von Halbleiter-Bauelementen, die vermehrt in rauen Umgebungsbedingungen eingesetzt werden und wesentliche - zum Teil auch sicherheitsrelevante - Steuerungsfunktionen übernehmen, rückt vermehrt in das Blickfeld der Gerätehersteller, da die Bauelemente aus immer feineren Strukturen aufgebaut werden.
Dieses Dokument legt ein Prüfverfahren, eine Teststruktur und ein Verfahren zum Abschätzen der Bauelemente-Lebensdauer bei Prüfbeanspruchungen gegen den zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB; en: time dependent dielectric breakdown) für in Halbleiterbauelementen verwendete Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen fest.
Das TDDB-Prüfverfahren kann sowohl für in Gehäusen montierte Bauelemente (Package-Level) als auch auf dem Wafer befindliche (unverkappte) Bauelemente (Wafer-Level) angewandt werden.
Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.