DIN EN 60749-19:2011-01

Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit

Dieser Teil der DIN EN 60749 dient der Bewertung der Integrität der Werkstoffe sowie der Prozess-Schritte, die angewendet werden, um Halbleiter-Chips auf Gehäusesockel (Header) oder andere Substrate (Trägerstreifen) zu befestigen. Im Allgemeinen ist dieses Prüfverfahren nur bei Hohlraum-Bauelementen und als Prozess-Monitor anwendbar. Es ist nicht anwendbar bei Chipflächen > 10 mm². Ebenso ist es nicht anwendbar bei der Flip-Chip-Techno¬logie oder flexiblen Substraten.
Gegenüber DIN EN 60749-19:2003-10 wurde im Abschnitt 1 entsprechend EN 60749-19/A1:2010-09 eine zweite Anmerkung eingefügt, welche die unterschiedliche Anwendung bei hohlraumlosen Gehäusen und Gehäusen mit Hohlraum klarstellt.
Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

Gegenüber DIN EN 60749-19:2003-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a) Im Abschnitt 1 wurde entsprechend EN 60749-19/A1:2010-09 eine zweite Anmerkung eingefügt, welche die unterschiedliche Anwendung bei hohlraumlosen Gehäusen und Gehäusen mit Hohlraum klarstellt.