DIN EN 61191-6:2011-01

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Teil 6: Bewertungskriterien für Hohlräume in Lötverbindungen von BGA und LGA und Messmethode

Kurzdarstellung

Der vorliegende Teil der IEC 61191 legt die Bewertungskriterien für Hohlräume auf der Skala der Lebensdauer bei Temperaturwechselbeanspruchung und das Hohlraum-Messverfahren mittels Röntgenuntersuchung fest. Dieser Teil der IEC 61191 gilt für Hohlräume, die in den Lötverbindungen von BGA und LGA beim Oberflächenmontieren auf eine Leiterplatte erzeugt werden. Dieser Teil der IEC 61191 gilt nicht für das BGA-Gehäuse selbst, bevor es auf eine Leiterplatte montiert wurde.
Diese Norm gilt außer für BGA und LGA auch für Bauteile mit Verbindungen, die durch Schmelzen und Wiederverfestigung hergestellt werden, wie z. B. Flip-Chip-Bauteile und Multichip-Module. Die Norm gilt nicht für Verbindungen mit Unterfüllung zwischen Bauteil und Leiterplatte oder für Lötverbindungen innerhalb eines Bauteilgehäuses.
Diese Norm gilt für Hohlräume mit Größen von 10 Mikrometer bis einigen Hundert Mikrometer, die beim Löt¬vorgang entstehen, jedoch nicht für Hohlräume mit kleinerem Durchmesser als 10 Mikrometer (typischerweise flächige Mikrohohlräume).
Zuständig ist das K 682 "Montageverfahren für elektronische Baugruppen" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

Beziehungen

Enthält:

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16.04.2010 Aktuell
EN 61191-6:2010-04
Elektronikaufbauten auf Leiterplatten - Teil 6: Bewertungskriterien für Hohlräume in Lötverbindungen von BGA und LGA und Messmethode
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14.01.2010 Aktuell
IEC 61191-6:2010-01
Elektronikaufbauten auf Leiterplatten - Teil 6: Bewertungskriterien für Hohlräume in Lötverbindungen von BGA und LGA und Messmethode - Teil 6: Bewertungskriterien für Hohlräume in Lötverbindungen von BGA und LGA und Messmethode

Entwurf war:

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01.12.2007 Historisch
E DIN IEC 61191-6:2007-12
Bewertungskriterien für Hohlräume in Lötverbindungen von BGA und LGA (IEC 91/707/CD:2007)

Dieses Dokument entspricht:

Dokumentart
Norm
Status
Aktuell
Erscheinungsdatum
01.01.2011
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium
Kontakt
Referat
Daniel Failer
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

ur4zv2.wrz2v8QAuv.t53

Referatsassistenz
Marina El Sleiman
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

3r8z4r.v292vz3r4QAuv.t53 Tel. +49 69 6308-327

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