IEC 60749-11:2002-04

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Halbleiterbauelemente -

Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 11: Rascher Temperaturwechsel - Zweibäderverfahren Teil 11: Rascher Temperaturwechsel - Zweibäderverfahren

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01.10.1996 Historisch
IEC 60749:1996-10
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01.07.2000 Historisch
IEC 60749:1996/AMD1:2000-07
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren (Änderung 1)
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30.10.2001 Historisch
IEC 60749:1996/AMD2:2001-10
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 2

Entwurf war:

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18.01.2002 Historisch
47/1605/FDIS:2002-01

Ersetzt bzw. ergänzt:

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30.01.2003 Aktuell
IEC 60749-11:2002/COR1:2003-01
Korrigendum 1- Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Rascher Temperaturwechsel - Zweibäderverfahren - Teil 11: Rascher Temperaturwechsel - Zweibäderverfahren

Dieses Dokument entspricht:

International

IEC 60749-11:2002-04
Dokumentart
Publikation
Status
Aktuell
Erscheinungsdatum
12.04.2002
Sprache
Englisch
Zuständiges Gremium
DKE/K 631
Kontakt
Referat
Elena Rongen
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

v2v4r.854xv4QAuv.t53 Tel. +49 69 6308-429

Referatsassistenz
Ewa Amrhein
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

vBr.r38yvz4QAuv.t53 Tel. +49 69 6308-370

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Elektronik-Bauelemente
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