IEC 63275-2:2022-05

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Halbleiterbauelemente -

Zuverlässigkeits-Prüfverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren Teil 2: Prüfverfahren für bipolare Degradation durch Body-Dioden-Betrieb

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Entwurf war:

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15.04.2022 Historisch
47/2765/RVD:2022-04

Dieses Dokument entspricht:

International

IEC 63275-2:2022-05

Dokumentart
Publikation
Status
Aktuell
Erscheinungsdatum
11.05.2022
Sprache
Englisch
Zuständiges Gremium

Kontakt

Referat
Stipe Mandic
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

9_z6v.3r4uztQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-573

Referatsassistenz
Betina Vlonga
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

sv_z4r.A254xrQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-431

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