prEN IEC 63275-1:2021-02

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Halbleiterbauelemente -

Zuverlässigkeits-Prüfverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren Teil 1: Prüfverfahren für Bias-Temperatur-Instabilität

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26.02.2021 Historisch
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Halbleiterbauelemente - Zuverlässigkeits-Prüfverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren - Teil 1: Prüfverfahren für Bias-Temperatur-Instabilität
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09.07.2021 Historisch
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18.02.2022 Historisch
47/2755/FDIS:2022-02
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Dokumentart
Entwurf Europäische Norm
Status
Aktuell
Erscheinungsdatum
26.02.2021
Zuständiges Gremium

Kontakt

Referat
Stipe Mandic
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

9_z6v.3r4uztQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-573

Referatsassistenz
Betina Vlonga
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

sv_z4r.A254xrQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-431

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