prEN IEC 63275-1:2021-02
Halbleiterbauelemente -
Zuverlässigkeits-Prüfverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren Teil 1: Prüfverfahren für Bias-Temperatur-Instabilität
Halbleiterbauelemente -
Zuverlässigkeits-Prüfverfahren für diskrete Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren Teil 1: Prüfverfahren für Bias-Temperatur-Instabilität
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