E DIN EN IEC 61215-2 (VDE 0126-31-2):2019-06

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Terrestrische Photovoltaik(PV)-

Module - Bauarteignung und Bauartzulassung - Teil 2: Prüfverfahren (IEC 82/1458/CD:2018); Text Deutsch und Englisch

Kurzdarstellung

Diese Internationale Normenreihe legt IEC-Anforderungen für die Bauarteignung und Bauartzulassung terrestrischer photovoltaischer Module fest, die für den Langzeitbetrieb in gemäßigten Freiluftklimaten geeignet sind. Dieser Teil der IEC 61215 ist für die Anwendung auf alle Werkstoffe von terrestrischen Flachplattenmodulen, wie z. B. Modulbauarten mit kristallinem Silizium sowie Dünnschichtmodule, bestimmt.
Der Zweck dieser Prüffolge ist die Bestimmung der elektrischen und temperaturbezogenen Kenngrößen des PV-Moduls sowie im Rahmen eines vertretbaren Kosten- und Zeitaufwandes der Nachweis, dass das Modul geeignet ist, längere Zeit den gemäßigten Freiluftklimaten standzuhalten
Zuständig ist das DKE/K 373 "Photovoltaische Solarenergie-Systeme" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.

Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN 61215-2 (VDE 0126-31-2):2019-02 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a) Ergänzung einer zyklischen (dynamischen) mechanischen Belastungsprüfung (MQT 20);
b) Ergänzung einer Prüfung zum Erkennen spannungsinduzierter (potentialinduzierter) Degradation (MQT 21);
c) Änderungen hinsichtlich der Prüfverfahren, die für doppelseitige Module erforderlich sind;
d) Änderungen hinsichtlich der Prüfverfahren, die für flexible Module erforderlich sind. Dies umfasst die Ergänzung der Biegeprüfung (MQT 22);
e) Überarbeitung von Simulatoranforderungen, um sicherzustellen, dass die Unsicherheit sowohl gut definiert als auch auf ein Mindestmaß eingeschränkt ist;
f) Korrektur der Hot-Spot-Dauerprüfung, an der Stelle, wo das Verfahren für monolithisch integrierte (MLI) Dünnschichttechnologien (MQT 09.2) bisher zwei Abschnitte enthielt, in denen ein nur für Silizium-Module anwendbares Verfahren beschrieben wurde;
g) Auswahl von drei Dioden an Stelle von allen für Prüfungen im Rahmen der Temperaturprüfung der Bypass-Diode (MQT 18);
h) Ergänzung eines Prüfverfahrens zum Erkennen von durch Licht und erhöhte Temperaturen verursachte Degradation (LeTID; en: light and elevated temperature induced degradation) in kristallinen Silizium-Modulen;
i) Löschen der Nennbetriebs-Modultemperatur (NMOT) und der zugehörigen Prüfung der Leistung bei NMOT aus der Normenreihe IEC 61215;
j) Die Deutsche Fassung wurde im Abschnitt 2 an den aktuellen Standardtext angepasst.

Dieses Dokument entspricht:

Dokumentart
Entwurf
Status
Historisch
Erscheinungsdatum
01.06.2019
Bereitstellungsdatum
17.05.2019
Einspruchsfrist
17.07.2019
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium
Kontakt
Referat
Dominika Radacki
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

u53z4z1r.8rurt1zQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-249

Referatsassistenz
Monika Bergmann
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

354z1r.sv8x3r44QAuv.t53 Tel. +49 69 6308-272

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