Gegenüber DIN EN 61215-2 (VDE 0126-31-2):2019-02 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a) Ergänzung einer zyklischen (dynamischen) mechanischen Belastungsprüfung (MQT 20);
b) Ergänzung einer Prüfung zum Erkennen spannungsinduzierter (potentialinduzierter) Degradation (MQT 21);
c) Änderungen hinsichtlich der Prüfverfahren, die für doppelseitige Module erforderlich sind;
d) Änderungen hinsichtlich der Prüfverfahren, die für flexible Module erforderlich sind. Dies umfasst die Ergänzung der Biegeprüfung (MQT 22);
e) Überarbeitung von Simulatoranforderungen, um sicherzustellen, dass die Unsicherheit sowohl gut definiert als auch auf ein Mindestmaß eingeschränkt ist;
f) Korrektur der Hot-Spot-Dauerprüfung, an der Stelle, wo das Verfahren für monolithisch integrierte (MLI) Dünnschichttechnologien (MQT 09.2) bisher zwei Abschnitte enthielt, in denen ein nur für Silizium-Module anwendbares Verfahren beschrieben wurde;
g) Auswahl von drei Dioden an Stelle von allen für Prüfungen im Rahmen der Temperaturprüfung der Bypass-Diode (MQT 18);
h) Ergänzung eines Prüfverfahrens zum Erkennen von durch Licht und erhöhte Temperaturen verursachte Degradation (LeTID; en: light and elevated temperature induced degradation) in kristallinen Silizium-Modulen;
i) Löschen der Nennbetriebs-Modultemperatur (NMOT) und der zugehörigen Prüfung der Leistung bei NMOT aus der Normenreihe IEC 61215;
j) Die Deutsche Fassung wurde im Abschnitt 2 an den aktuellen Standardtext angepasst.