DIN IEC/TS 62132-9 (VDE V 0847-22-9):2015-08

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Integrierte Schaltungen -

Messung der elektromagnetischen Störfestigkeit - Teil 9: Messung der Störfestigkeit bei Einstrahlungen - Verfahren der Oberflächenabtastung (IEC/TS 62132-9:2014)

Kurzdarstellung

Techniken zur Erzeugung von Nahfeldern über integrierten Schaltungen und deren Umgebung können die aussendungsempfindlichen Bereiche identifizieren, die möglicherweise Fehler im Gerät verursachen könnten. Die Möglichkeit der Verknüpfung magnetischer oder elektrischer Feldstärken mit einem bestimmten Ort in einem Gerät kann wertvolle Informationen zur Verbesserung eines IC sowohl hinsichtlich der Funktionsweise als auch der EMV-Leistung liefern.
Die Techniken zur Nahfeldabtastung haben sich in den letzten Jahren beträchtlich weiterentwickelt. Die verbesserte Ansprechempfindlichkeit, Bandbreite und räumliche Auflösung der Sonden ermöglichen die Analyse von integrierten Schaltungen, die im Gigahertzbereich arbeiten. Eine Nachverarbeitung kann die Auflösung eines Messplatzes für Nahfeldabtastungen beträchtlich steigern und die gemessenen Daten können auf verschiedene Arten, nach Wahl des Anwenders, dargestellt werden.
Der vorliegende Teil der IEC 62132 stellt ein Prüfverfahren zur Verfügung, das ein Verfahren zur Bewertung der Auswirkungen von elektrischen, magnetischen und elektromagnetischen Nahfeldkomponenten auf einer integrierten Schaltung (IC) fest. Dieses Diagnoseverfahren dient der Architekturanalyse eines IC wie beispielsweise der Fertigungsplanung und der Optimierung der Stromverteilung. Dieses Prüfverfahren ist für Messungen eines IC anwendbar, der auf irgendeiner Leiterplatte angebracht ist, die für die Abtastsonde zugänglich ist. In einigen Fällen ist es sinnvoll, nicht nur den IC abzutasten, sondern auch dessen Umgebung. Zum Vergleich der durch Oberflächenabtastung ermittelten Störfestigkeit zwischen unterschiedlichen ICs sollte eine genormte Prüfleiterplatte, die in IEC 62132-1 festgelegt ist, verwendet werden.
Dieses Messverfahren bietet eine Kartierung der Empfindlichkeit (Störfestigkeit) gegenüber elektrischen oder magnetischen Nahfeldstörgrößen über einen IC. Die bei der Prüfung erreichbare Auflösung wird durch die Leistungsfähigkeit der Prüfsonde und die Genauigkeit des Sondenpositionierungssystems bestimmt. Dieses Verfahren ist für den Einsatz bis 6 GHz vorgesehen. Mit der bestehenden Sondentechnik ist die Anhebung der oberen Frequenzgrenze möglich, liegt aber außerhalb des Anwendungsbereiches dieser Spezifikation. Die in diesem Dokument beschriebenen Prüfungen werden im Frequenzbereich mit Dauerstrich- (CW), amplituden-modulierten (AM) oder pulsmodulierten (PM) Signalen durchgeführt.
Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.

Beziehungen

Enthält:

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21.08.2014 Aktuell
IEC TS 62132-9:2014-08
Integrierte Schaltungen - Messung der elektromagnetischen Störfestigkeit - Teil 9: Messung der Störfestigkeit bei Einstrahlungen - Verfahren der Oberflächenabtastung

Entwurf war:

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01.11.2012 Historisch
E DIN IEC/TS 62132-9 (VDE V 0847-22-9):2012-11
Integrierte Schaltungen - Messung der elektromagnetischen Störfestigkeit - Teil 9: Messung der Störfestigkeit bei Einstrahlungen - Verfahren der Oberflächenabtastung (IEC 47A/887/CD:2012)

Dieses Dokument entspricht:

Dokumentart
Vornorm
Status
Aktuell
Erscheinungsdatum
01.08.2015
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium
Kontakt
Referat
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Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

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Referatsassistenz
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