E DIN EN 60749-34:2009-10

Halbleiterbauelemente -

Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 34: Lastwechselprüfung

Dieses Prüfverfahren legt ein Verfahren fest, um die thermische und mechanische Widerstandsfähigkeit eines Halbleiterbauelementes zu bestimmen bei zyklischem Ein- und Ausschalten der Verlustleistung an den internen Halbleiterchips und Verbindungselementen. Dies ist der Fall, wenn Halbleiterbauelemente bei Betrieb mit niedriger Spannung in Durchlassrichtung (unter Laststrom) periodisch ein- und ausgeschaltet werden, wobei schnelle Temperaturänderungen auftreten. Die Lastwechselprüfung dient dem Zweck, typische Anwendungen in der Leistungselektronik zu simulieren, und ist eine Ergänzung zum Prüfverfahren für die Lebensdauer bei hoher Temperatur (siehe DIN EN 60749-23).
Gegenüber DIN EN 60749-34:2004-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a- Verweise in Abschnitt 2, soweit erforderlich, als datierte Verweise angegeben.
b- Aufnahme von harten Prüfbedingungen in Tabelle 1 (Prüfbedingung 1b).
c- Hinweis ergänzt, dass hohe Stromdichten in einer dünnen Chip-Metallisation Effekte der Elektromigration in der Nähe von Drahtbonds verursachen können.

Zuständig ist das K 631 „Halbleiterbauelemente“ der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
Th. B. Lieber

Gegenüber DIN EN 60749-34:2004-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a) Verweise in Abschnitt 2, soweit erforderlich, als datierte Verweise angegeben.
b) Aufnahme von harten Prüfbedingungen in Tabelle 1 (Prüfbedingung 1b).
c) Hinweis ergänzt, dass hohe Stromdichten in einer dünnen Chip-Metallisation Effekte der Elektromigration in der Nähe von Drahtbonds verursachen können.