E DIN EN 60749-29:2009-11

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Halbleiterbauelemente -

Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 29: Latch-up-Prüfung

Kurzdarstellung

In diesem Teil der DIN EN 60749 ist sowohl das Strom-Prüfverfahren als auch das Überspannungs-Prüfverfahren bezüglich der Latch-up-Beanspruchung integrierter Schaltungen festgelegt. Damit können die Latch-up-Kenngrößen für integrierte Schaltungen (IC, en: integrated circuits) ermittelt werden und den definierten Latch-up-Fehlerkritierien gegenübergestellt werden. Latch-up-Kenngrößen werden sowohl zur Bestimmung der Produktzuverlässigkeit als auch der Minimierung von NTF- und EOS-Fehlern (NTF, en: no trouble found; EOS, en: electrical overstress) infolge von Latch-up-Vorgängen verwendet.
Dieses Prüfverfahren ist primär anwendbar bei CMOS-Bauelementen. Die Anwendbarkeit für andere Technologien ist gesondert festzulegen.
Gegenüber DIN EN 60749-29:2004-07 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a) Die Norm wurde technisch überarbeitet und an die neueste Ausgabe des JEDEC-Standards JESD78A angepasst;
b) Neufassung der Begriffsdefinitionen für Prüfklassifikation (2.1) und Prüfgrad (2.10);
c) Festlegungen für den Zustand vor der Prüfdurchführung eingefügt (4.1, erster Absatz);
d) Festlegungen beim I-Prüfverfahren (4.2.1) wurden überarbeitet;
e) Fehler- und Beurteilungskriterien wurden an die vorstehenden Änderungen angepasst;
f) Anhang A mit Beispielen für besondere Anschlüsse wurde neu hinzugefügt;
g) editorielle Überarbeitung der Deutschen Fassung.
Zuständig ist das K 631 „Halbleiterbauelemente“ der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN 60749-29:2004-07 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a) Die Norm wurde technisch überarbeitet und an die neueste Ausgabe des JEDEC-Standards JESD78A angepasst;
b) Neufassung der Begriffsdefinitionen für Prüfklassifikation (2.1) und Prüfgrad (2.10);
c) Festlegungen für den Zustand vor der Prüfdurchführung eingefügt (4.1, erster Absatz);
d) Festlegungen beim I-Prüfverfahren (4.2.1) wurden überarbeitet;
e) Fehler- und Beurteilungskriterien wurden an die vorstehenden Änderungen angepasst;
f) Anhang A mit Beispielen für besondere Anschlüsse wurde neu hinzugefügt;
g) editorielle Überarbeitung der Deutschen Fassung.

Beziehungen

Enthält:

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04.09.2009 Historisch
FprEN 60749-29:2009-09
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren -- Teil 29: Latch-up-Prüfung
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04.09.2009 Historisch
47/2026/CDV:2009-09
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung

Entwurf war:

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01.07.2004 Historisch
DIN EN 60749-29:2004-07
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung (IEC 60749-29:2003); Deutsche Fassung EN 60749-29:2003 + Corrigendum:2004

Dieses Dokument entspricht:

Dokumentart
Entwurf
Status
Historisch
Erscheinungsdatum
01.11.2009
Bereitstellungsdatum
16.11.2009
Einspruchsfrist
31.01.2010
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium
Kontakt
Referat
Stipe Mandic
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

9_z6v.3r4uztQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-573

Referatsassistenz
Betina Vlonga
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

sv_z4r.A254xrQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-431

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