E DIN EN 60749-19/A1:2009-10

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Halbleiterbauelemente -

Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit

Kurzdarstellung

Dieser Teil der DIN EN 60749 dient der Bewertung der Integrität der Werkstoffe sowie der Prozess-Schritte, die angewendet werden, um Halbleiter-Chips auf Gehäusesockel (Header) oder andere Substrate (Trägerstreifen) zu befestigen. Mit der hier vorliegenden Ergänzung wird der Anwendungsbereich durch eine zusätzliche Anmerkung präzisiert.

Zuständig ist das K 631 „Halbleiterbauelemente“ der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.
Th. B. Lieber

Beziehungen

Enthält:

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31.07.2009 Historisch
EN 60749-19:2003/FprA1:2009-07
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
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31.07.2009 Historisch
47/2016/CDV:2009-07
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit

Entwurf war:

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01.10.2003 Historisch
DIN EN 60749-19:2003-10
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit (IEC 60749-19:2003); Deutsche Fassung EN 60749-19:2003 + Corrigendum 2003-06

Dieses Dokument entspricht:

Dokumentart
Entwurf
Status
Historisch
Erscheinungsdatum
01.10.2009
Bereitstellungsdatum
05.10.2009
Einspruchsfrist
31.12.2009
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium
Kontakt
Referat
Stipe Mandic
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

9_z6v.3r4uztQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-573

Referatsassistenz
Betina Vlonga
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

sv_z4r.A254xrQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-431

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