DIN EN 60191-6-19:2010-10

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Teil 6-19: Messverfahren für die Gehäuse-Verbiegung bei erhöhter Temperatur und die maximal zulässige Verbiegung

Kurzdarstellung

Gehäuse für Halbleiterbauelemente sind im rahmen der technischen Entwicklungen zunehmend flacher und feiner geworden. Im Rahmen der Fertigung elektronischer Baugruppen kann es bei der Wärmeeinwirkung im Lötprozess bei solchen Gehäusen zu Verbiegungen kommen, die dann die elektrischen Kontakte und somit die Funktionsfähigkeit elektronischer Baugruppen negativ beeinflussen.
Dieser Teil von DIN EN 60191 legt die Messverfahren für die Gehäuseverbiegung bei erhöhter Temperatur und die maximal zulässigen Verbiegungen für Halbleitergehäusen mit Ball-Grid-Array (BGA), Feinraster-Ball-Grid-Array (FBGA) und Feinraster-Land-Grid-Array (FLGA) fest.
Zuständig ist das UK 631.4 "Gehäuse für Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

Beziehungen

Enthält:

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21.05.2010 Aktuell

EN 60191-6-19:2010-05

Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen -- Teil 6-19: Messverfahren für die Gehäuse-Verbiegung bei erhöhter Temperatur und die maximal zulässige Verbiegung

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25.02.2010 Aktuell

IEC 60191-6-19:2010-02

Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-19: Messverfahren für die Gehäuse-Verbiegung bei erhöhter Temperatur und die maximal zulässige Verbiegung - Teil 6-19: Messverfahren für die Gehäuse-Verbiegung bei erhöhter Temperatur und die maximal zulässige Verbiegung

Entwurf war:

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01.03.2008 Historisch

E DIN IEC 60191-6-19:2008-03

Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-19: Messverfahren für Gehäuse-Verbiegungen bei erhöhter Temperatur und die maximal zulässige Verbiegung (IEC 47D/709/CD:2007)