EN 62374-1:2010-11

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Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen

Beziehungen

Ersatz für:

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19.10.2007 Historisch
EN 62374:2007-10
Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten

Enthält:

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29.09.2010 Aktuell
IEC 62374-1:2010-09
Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen

Entwurf war:

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18.06.2010 Historisch
FprEN 62374-1:2010-06
Halbleiterbauelemente -- Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen

Ersetzt bzw. ergänzt:

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01.04.2011 Aktuell
EN 62374-1:2010/AC:2011-04

Dieses Dokument entspricht:

EuropäischInternational

EN 62374-1:2010-11

IEC 62374-1:2010-09

Dokumentart
Europäische Norm
Status
Aktuell
Erscheinungsdatum
19.11.2010
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium
Kontakt
Referat
Stipe Mandic
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

9_z6v.3r4uztQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-573

Referatsassistenz
Betina Vlonga
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

sv_z4r.A254xrQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-431

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