EN 62416:2010-06

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Halbleiterbauelemente -

Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

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Enthält:

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26.04.2010 Aktuell
IEC 62416:2010-04
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

Entwurf war:

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29.01.2010 Historisch
FprEN 62416:2010-01
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren

Dieses Dokument entspricht:

EuropäischInternational

EN 62416:2010-06

IEC 62416:2010-04

Dokumentart
Europäische Norm
Status
Aktuell
Erscheinungsdatum
04.06.2010
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium
Kontakt
Referat
Stipe Mandic
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

9_z6v.3r4uztQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-573

Referatsassistenz
Betina Vlonga
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

sv_z4r.A254xrQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-431

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