EN 62374:2007-10

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Halbleiterbauelemente -

Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten

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Enthält:

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30.03.2007 Aktuell
IEC 62374:2007-03
Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten

Entwurf war:

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27.10.2006 Historisch
prEN 62374:2006-10
Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten
Standards
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17.10.2008 Historisch
FprEN 62374-1:2008-10
Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei intermetallischen Schichten

Ersetzt bzw. ergänzt:

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19.11.2010 Aktuell
EN 62374-1:2010-11
Halbleiterbauelemente -- Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen

Dieses Dokument entspricht:

EuropäischInternational

EN 62374:2007-10

IEC 62374:2007-03
Dokumentart
Europäische Norm
Status
Historisch
Erscheinungsdatum
19.10.2007
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium
DKE/K 631
Kontakt
Referat
Stipe Mandic
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

9_z6v.3r4uztQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-573

Referatsassistenz
Betina Vlonga
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

sv_z4r.A254xrQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-431

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